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PRAM

可靠的非易失性阻变存储器IP

非易失性 工艺延展适配 高性能

RRAM 是一款性能优异的非易失存储 IP，依托 1T1R 结构，工艺改动小，兼具高速低功耗与可靠耐久特性，适配多类芯片设计场景，获得行业广泛适配。

  • 具备非易失特性，掉电数据不丢失，编程无需预擦除，写入速度优于Flash，功耗表现优异，可优化SRAM容量规划

  • 采用BEOL后端工艺、2层掩膜版，兼容HV、BCD工艺，器件可微缩至10nm以下

  • 耐久与数据留存性能优异，不同容量阵列具备对应循环寿命，高温环境下数据保存能力可靠

  • 适配FinFET、FD‑SOI先进工艺，可用于各类芯片设计，覆盖低功耗、电源管理等相关芯片场景

产品亮点

  • 非易失性

    掉电数据不丢失

  • 可缩减性

    器件尺寸可微缩
    至10nm以下

  • 低能耗

    操作电压和编程电流极低
    适合低功耗应用

  • 高写入速度

    编程速度
    大幅优于Flash器件

  • 兼容性强

    BEOL，兼容HV，BCD
    等特殊工艺

  • 耐久度强

    高耐久度，循环寿命优异
    高温环境下数据保存稳定

产品应用

  • OLED屏幕像素亮度
    补偿算法

  • 墨水屏

  • 微控制器

  • 存储控制器

  • 存算一体

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